Abstract
Biz taklif qilayotgan tadqiqot ishi GaAs ning suv bug’ reaksiyasi bilan parchalanishini batafsil o’rganamiz va bu reaksiyaga asoslangan epitaksial qatlamlarning o’sish texnikasini, o’sish tezligini va har bir soniyalarda bir necha nm ga o’sishi mumkinligini ko’rsatamiz. Bu yarim izolyatsiyalovchi va qalin epitaksial qatlamlarni ishlab chiqarishga iqtisodiy imkoniyatlari yaxshilanadi. Bu qatlamlar yuqori quvvatli elektronika, fotodetektor va mikroelektronika (bir biriga elektrofizik xususiyatlari juda yaqin yarim izolyatsion qatlamlarni ishlab chiqarish) kabi turli sohalarda foydalanishga imkon beruvchi elektron qurilmalarni (fotoelementlar) yaratish mumkinligini tajribalar orqali aytib o’tamiz.
Keywords
Yarim o’tkazgich
epitaksiya
taglik
gofret
buffer
Choxral
usul
reaktiv
kirishma
o’stirish