Технология Получения Тонкослойных Гетероструктур N-Cds/p-CeF3 И Исследование Их Электрических Свойств

В статье приведены технология получения тонкослойных гетероструктур n-CdS/p-CeF3 и результаты исследования их электрических свойств. Показано, что доминирующим механизмом передачи тока в низших звеньях (3kT/e<V<1 B) является многоступенчатая туннельная рекомбинация и процессы, связанные с состояниями поверхности CeF3/CdS. Основными механизмами переноса носителей заряда в обратном направлении являются (0,12 <|V| <0,6 Ом) эмиссия Френкеля-Пулла и (0,5 <|V| <1,5 Ом) туннелирование через потенциальный барьер.