Publication Details
Journal: Central Asian Journal of Theoretical and Applied Science
Issue: Vol 3, No 6 (2022)
ISSN: 2660-5317
Visit Journal Website

Abstract

Исследован и обнаружен процесс роста скоплений акцепторных центров n-GaAs при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется. Найдено распределение плотности донорных состояний водороподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцерторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля 20эВ.

Keywords
Скопления акцептор донор водороподобные примеси пары Френкеля различные механизмы рассеяния электронов дефекты состояний
Document Preview
Buka Fullscreen / Download
Go Back