Publication Details
Journal: Gospodarka i Innowacje.
Issue: Vol 33, No (2023)
Pages: 381-386
ISSN: 2545-0573
Check on Google Scholar Visit Article Page

Abstract

основными факторами, определяющими возможность дальнейшего повышения КПД гетерофотопреобразователей со структурой pGa1-xAlxAs-pGaAs-nGaAs-n+GaAs, являются оптимизация профиля распределения Al по толщине, оптимизация толщины слоя pGaAs, оптимизация поверхности и достижение большего роста КПД при её просветлении, а также применение микрорельефной поверхности, способствующей увеличению падающего излучения.

Keywords
полупроводник Фотопроводимость эпитаксиа легирования гетерофотопреобразовател подложка
Document Preview
Buka Fullscreen / Download
Go Back