Detail Publikasi
Jurnal: Central Asian Journal of Theoretical and Applied Science
Edisi: Vol 3, No 6 (2022)
ISSN: 2660-5317
Kunjungi Website Jurnal Unduh PDF Lengkap

Abstrak

Исследован и обнаружен процесс роста скоплений акцепторных центров n-GaAs при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется. Найдено распределение плотности донорных состояний водороподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцерторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля 20эВ.

Kata Kunci
Скопления акцептор донор водороподобные примеси пары Френкеля различные механизмы рассеяния электронов дефекты состояний
Pratinjau Dokumen
Pratinjau Tidak Diizinkan

Penyedia jurnal tidak mengijinkan pratinjau langsung.

Buka PDF Artikel
Kembali