Abstract
Проблема легирования аморфного гидрогенизированного кремния
a-Si(H) давно привлекает внимание исследователей[1]. Основним методом, приводящим к эффективному изменению электрических и фотоэлектрических свойств a-Si(H) является легирование из газовой фазы. Именно таким методом проводится легирование пленок a-Si(H) бором и фосфором, что позволило создать ряд электронных приборов на основе данного материала (фотопреобразователей, полевых транзисторов и т.д.). Однако число работ, посвященных изучению влияния металлических примесей на свойства a-Si(H) невелико, хотя очевидно, что расширение число примесей, эффективно изменяющих фотоэлектрических свойства a-Si(H) позволит найти новые области практического использования материала[2].