ИЗГОТОВЛЕНИЕ МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСИСТЕМЫ Si/NiSi2/Si МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОЙ ОСАЖДЕНИЯ

В работе имплантацией ионов Ni+ в Si сочетании с отжигом в приповерхностном слое Si на глубине 15-25 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D=8∙1016 см-3 формировались нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Впервые оценены ширины запрещенных зон нанокристалических фаз и слоев NiSi2, созданных в приповерхностной области Si. Показано, что при толщинах h< 150 Å формируются островковые пленки NiSi2. Ширина запрещенной зоны островков и пленок NiSi2 практически не отличаются друг от друга и составляла ~ 0,6 эВ, а значения  отличаются на несколько порядков.