Abstract
В данной статье исследуется чувствительность пленочных гетерогенных полупроводниковых материалов (ГПМ) на основе теллуридов висмута-сурьмы к наложенной деформации. Методы синтеза материалов, наложения деформации и измерения сопротивления использовались для изучения влияния наложенной деформации на электрические свойства ГПМ. Результаты показали линейную зависимость между сопротивлением материалов и числом циклов деформации, что свидетельствует о возможности использования линейной регрессии для анализа этих данных. Обсуждение результатов исследования указывает на важность понимания влияния наложенной деформации на свойства ГПМ и их потенциала для применения в различных областях технологии. Эта работа представляет собой важный шаг в понимании физических свойств ГПМ и их возможного применения в новых технологиях.